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背景：热退火是用于结晶硒化锑(Sb2Se3)薄膜的最常见后沉积技术。然而，由于处理速度慢且能源成本高，它与未来光伏电池中Sb2Se3的升级和商业化不相容。在此，首次采用一种使用毫秒···
阅读量：4332024
背景：本研究开发了一种用于高性能全印刷无机薄膜晶体管(TFT)的印刷多层铟镓锌氧化物(IGZO)和银(Ag)电极结构的强脉冲光(IPL)退火工艺。通过使用IGZO前体和银墨水的溶液···
阅读量：3502024
背景：我们介绍了光子烧结作为一种通用且经济高效的界面处理方法，用于溶液处理的In-Ga-Zn-O薄膜晶体管，重点研究其提高操作稳定性的潜力。我们制造了溶液处理的基于IGZO的薄膜晶···
阅读量：3562024
背景：新兴的柔性光电器件需要多材料处理能力，以充分利用对温度敏感的基板和材料。本报告展示了光子烧结如何实现具有非常不同特性的材料的加工。例如，电荷载流子传输/阻挡金属氧化物和透明导···
阅读量：3212024
背景：In2O3是最重要的半导体金属氧化物之一，主要是因为它具有宽带隙、高电子迁移率和加工通用性。为此，可以使用可扩展且廉价的基于溶液的沉积方法来制备高质量的In2O3薄膜，从而使···
阅读量：8392023
背景：金属氧化物薄膜晶体管(TFT)为新兴的透明和柔性微电子应用提供了绝佳的机会。不幸的是，它们的性能受到与寄生效应相关的限制的阻碍，例如寄生电极重叠电容和高接触电阻，这会严重限制···
阅读量：4542024
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